ИНЖЕНЕРЫ
ДЛЯ ИНЖЕНЕРОВ

Россия, 124460, Москва, Зеленоград,
просп. Георгиевский, д. 5, строен. 1
пн., пт.: с 9:00 до 18:00

+7 (499) 729-77-51 +7 (495) 981-91-69 +7 (499) 479 77 24

XORS L

XORS L
XORS L XORS LXORS L
Отправить заявку

 

Проект XORS подразумевал создание установки с предельно достижимыми характеристиками. Однако на его базе разработаны более простые и доступные по цене версии под общим названием XORS L. Для установки предлагается три типа источников плазмы, верхний электрод с газовым душем для ССР конфигурации, три типа рабочих столов как с электростатическим прижимом, так и с механическим, три типа вакуумных систем. В самых простых версиях загрузка подложек осуществляется непосредственно в камеру.

 

 

 

 

СИСТЕМА GROOVY ICP – ТЕХНОЛОГИЯ БУДУЩЕГО

 
  • Перекрывает диапазоны всех процессных параметров, недостижимых ни для какой иной промышленной системы;
  • гарантирует наилучший кинетический контроль реакционного состава газа благодаря малости времени пребывания газа в плазме;
  • объединяет преимущества базовых источников плазмы (ICP-CCP), компенсируя их принципиальные недостатки;
  • позволяет реализовывать все плазмохимические процессы, включая атомно-слоевые, в единой базовой ПК;
  • обеспечивает высокую экономическую эффективность машиностроительного производства и универсальности технологий;
  • ПК пригодна для глубокого и сверхглубокого травления высокоаспектных контактов в окисле кремния (HARC, UHARC);
  • максимальная скорость травления оксида доведена в производстве до 2,8 мкм/мин (pad-fuse);
  • достигнут уровень атомно слоевого травления оксида;
  • скорость травления кремния с гладкими стенками до 25 мкм/мин без использования Bosch-технологии;
  • многочисленные приложения: вскрытие и формирование твердой маски (оксид, нитрид, поликремний,аморфный углерод);
  • удаление фоторезиста и др.;
  • промышленные испытания пройдены в массовом призводстве DRAM на пластинах 300 мм 28 нм;
  • единственный в мире промышленный реактор,позволяющий одновременно осуществлять локальный контроль плотности плазмы и ее химического состава по радиусу пластины;
  • максимально широкое технологическое окно параметров в сочетании с простотой достижения предельной равномерности процесса по пластине;
  • возможно произвольное задание вогнутых или выпуклых распределений скорости процесса по пластине;
  • обеспечена возможность скоростного бездефектного удаления фоторезиста после травления, а также автоматической очистки камеры;
  • возможно применение в процессах производства полупроводников на сапфире, карбиде кремния, группы А В , GaN и др.; 3 5
  • возможен заказ производственных ПК индивидуальной обработки пластин от 50 до 300 мм.
 
ФОТОГРАФИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
 
 
удаления резиста
Контакт 32 нм
 
до удаления резиста
 
 
   Глубокое и сверхглубокое травление кремния
Глубокое и сверхглубокое травление кремния
 
Твердая маска
Твердая маска, аморфный углерод
 
При финансовой поддержке
Министерства промышленности и торговли 
Российской Федерации
Минпромторг России

Ваша заявка принята!