Главная Продукция Российское оборудование Вакуумное оборудование УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ XORS-200A

Продукция

Российское оборудование

Зарубежное оборудование

Каталог оборудования АО «НПП «ЭСТО»

Каталог продукции Fujikin

Презентация оборудования KLOE

УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ XORS-200A

Назначение: плазмохимическое травление критических слоев материалов в полупроводниковых производствах СБИС уровня 65-28 нм.
Материалы: оксид, нитрид, low-k, удаление фоторезиста in-situ, а также скоростное травление кремния TSV, твердые маски, аморфный углерод, поликремнийи др.

Генератор плазмы: узкозазорный источник «Groovy ICP» с независимым локальным контролем плазмы в центральной и периферийной кольцевых зонах реактора.

Материал плазменного источника: монокристаллический кремний (кварц или керамика – опции).

Тип рабочего стола: электростатический прижим (ESC) с керамической сверхчистой рабочей поверхностью и двумя кольцевыми зонами контроля давления гелия.

Камера: анодированный алюминиевый блок, внутренняя аксиально-симметричная термостатированная стенка.

Откачка: турбомолекулярный насос (250 мм), сухой двухступенчатый безмасляный агрегат.

Газовая система: промышленный моноблок стандарта SEMI, два кольцевых коаксиальных канала подачи газа – центр и периферия.

Число газовых линий: до 15 на каждый канал.

Измерение рабочего давления: емкостные датчики, два диапазона – 100 мТорр и 10 Торр.

Контроль вакуума: два датчика, Пирани и ионизационный.

Теплоноситель: Galden,ПНС-10.

Загрузчики пластин: автоматические шлюзовые вакуумные перегрузчики, опции, возможна поставка с фронтальным модулем SMIF.

СИСТЕМА GROOVY ICP – ТЕХНОЛОГИЯ БУДУЩЕГО

Перекрывает диапазоны всех процессных параметров, недостижимых ни для какой иной промышленной системы;
гарантирует наилучший кинетический контроль реакционного состава газа благодаря малости времени пребывания газа в плазме;
объединяет преимущества базовых источников плазмы (ICP-CCP), компенсируя их принципиальные недостатки;
позволяет реализовывать все плазмохимические процессы, включая атомно-слоевые, в единой базовой ПК;
обеспечивает высокую экономическую эффективность машиностроительного производства и универсальности технологий;
ПК пригодна для глубокого и сверхглубокого травления высокоаспектных контактов в окисле кремния (HARC, UHARC);
максимальная скорость травления оксида доведена в производстве до 2,8 мкм/мин (pad-fuse);
достигнут уровень атомно слоевого травления оксида;
скорость травления кремния с гладкими стенками до 25 мкм/мин без использования Bosch-технологии;
многочисленные приложения: вскрытие и формирование твердой маски (оксид, нитрид, поликремний,аморфный углерод);
удаление фоторезиста и др.;
промышленные испытания пройдены в массовом призводстве DRAM на пластинах 300 мм 28 нм;
единственный в мире промышленный реактор,позволяющий одновременно осуществлять локальный контроль плотности плазмы и ее химического состава по радиусу пластины;
максимально широкое технологическое окно параметров в сочетании с простотой достижения предельной равномерности процесса по пластине;
возможно произвольное задание вогнутых или выпуклых распределений скорости процесса по пластине;
обеспечена возможность скоростного бездефектного удаления фоторезиста после травления, а также автоматической очистки камеры;
возможно применение в процессах производства полупроводников на сапфире, карбиде кремния, группы А В , GaN и др.; 3 5
возможен заказ производственных ПК индивидуальной обработки пластин от 50 до 300 мм.

ФОТОГРАФИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Контакт 32 нм

до удаления резиста

Глубокое и сверхглубокое травление кремния

Твердая маска, аморфный углерод

При финансовой поддержке

Министерства промышленности и торговли

Российской Федерации