ИНЖЕНЕРЫ
ДЛЯ ИНЖЕНЕРОВ

Россия, 124460, Москва, Зеленоград,
просп. Георгиевский, д. 5, строен. 1
пн., пт.: с 9:00 до 18:00

+7 (499) 479 12 39 +7 (499) 479 12 39 +7 (499) 479 77 24

УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ XORS-200A

УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ XORS-200A
УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ XORS-200A
Отправить заявку
 
  • Назначение: плазмохимическое травление критических слоев материалов в полупроводниковых производствах СБИС уровня 65-28 нм.                      
  • Материалы: оксид, нитрид, low-k, удаление фоторезиста in-situ, а также скоростное травление кремния TSV, твердые маски, аморфный углерод, поликремнийи др.
  • Генератор плазмы: узкозазорный источник «Groovy ICP» с независимым локальным контролем плазмы в центральной и периферийной кольцевых зонах реактора.
  • Материал плазменного источника: монокристаллический кремний (кварц или керамика – опции).
  • Тип рабочего стола: электростатический прижим (ESC) с керамической сверхчистой рабочей поверхностью и двумя кольцевыми зонами контроля давления гелия.
  • Камера: анодированный алюминиевый блок, внутренняя аксиально-симметричная термостатированная стенка.
  • Откачка: турбомолекулярный насос (250 мм), сухой двухступенчатый безмасляный агрегат.
  • Газовая система: промышленный моноблок стандарта SEMI, два кольцевых коаксиальных канала подачи газа – центр и периферия.
  • Число газовых линий: до 15 на каждый канал.
  • Измерение рабочего давления: емкостные датчики, два диапазона – 100 мТорр и 10 Торр.
  • Контроль вакуума: два датчика, Пирани и ионизационный.
  • Теплоноситель: Galden,ПНС-10.
  • Загрузчики пластин: автоматические шлюзовые вакуумные перегрузчики, опции, возможна поставка с фронтальным модулем SMIF.

 

СИСТЕМА GROOVY ICP – ТЕХНОЛОГИЯ БУДУЩЕГО
 
  • Перекрывает диапазоны всех процессных параметров, недостижимых ни для какой иной промышленной системы;
  • гарантирует наилучший кинетический контроль реакционного состава газа благодаря малости времени пребывания газа в плазме;
  • объединяет преимущества базовых источников плазмы (ICP-CCP), компенсируя их принципиальные недостатки;
  • позволяет реализовывать все плазмохимические процессы, включая атомно-слоевые, в единой базовой ПК;
  • обеспечивает высокую экономическую эффективность машиностроительного производства и универсальности технологий;
  • ПК пригодна для глубокого и сверхглубокого травления высокоаспектных контактов в окисле кремния (HARC, UHARC);
  • максимальная скорость травления оксида доведена в производстве до 2,8 мкм/мин (pad-fuse);
  • достигнут уровень атомно слоевого травления оксида;
  • скорость травления кремния с гладкими стенками до 25 мкм/мин без использования Bosch-технологии;
  • многочисленные приложения: вскрытие и формирование твердой маски (оксид, нитрид, поликремний,аморфный углерод);
  • удаление фоторезиста и др.;
  • промышленные испытания пройдены в массовом призводстве DRAM на пластинах 300 мм 28 нм;
  • единственный в мире промышленный реактор,позволяющий одновременно осуществлять локальный контроль плотности плазмы и ее химического состава по радиусу пластины;
  • максимально широкое технологическое окно параметров в сочетании с простотой достижения предельной равномерности процесса по пластине;
  • возможно произвольное задание вогнутых или выпуклых распределений скорости процесса по пластине;
  • обеспечена возможность скоростного бездефектного удаления фоторезиста после травления, а также автоматической очистки камеры;
  • возможно применение в процессах производства полупроводников на сапфире, карбиде кремния, группы А В , GaN и др.; 3 5
  • возможен заказ производственных ПК индивидуальной обработки пластин от 50 до 300 мм.
 
ФОТОГРАФИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
 
 
Контакт 32 нм
 
до удаления резиста
 
 
   
Глубокое и сверхглубокое травление кремния
 
Твердая маска, аморфный углерод
 
При финансовой поддержке
Министерства промышленности и торговли 
Российской Федерации
Ваша заявка принята!