Продукция
- Оборудование на складе
- Нестандартное оборудование
- Оборудование для жидких процессов литографии
- Лазерное оборудование
- Вакуумное оборудование
- Сборочное оборудование
- Оборудование для оптической литографии
- Рентгеновское оборудование для контроля
- Оборудование на складе
- Сборочное оборудование и материалы
- Установки для жидких процессов литографии
- Устройства для измерения пластин и толщины пленок
- Оборудование для литографии
- Оборудование для высшей степени очистки газов
- Вакуумное оборудование
- Автоматы для герметизации корпусов
- Установки для изготовления и обработки подложек
- Оборудование для термических процессов
- Ионные имплантеры
- Бинокулярные и стереоскопические микроскопы
- Аппараты для атомно-слоевого осаждения
- Промышленные компрессоры
- Газовые системы
Российское оборудование
Зарубежное оборудование
Установка плазмохимического травления XORS-200A производства АО "НПП "ЭСТО"
Отправить заявку
- Назначение: плазмохимическое травление критических слоев материалов в полупроводниковых производствах СБИС уровня 65-28 нм.
- Материалы: оксид, нитрид, low-k, удаление фоторезиста in-situ, а также скоростное травление кремния TSV, твердые маски, аморфный углерод, поликремнийи др.
-
Генератор плазмы: узкозазорный источник «Groovy ICP» с независимым локальным контролем плазмы в центральной и периферийной кольцевых зонах реактора.
- Материал плазменного источника: монокристаллический кремний (кварц или керамика – опции).
- Тип рабочего стола: электростатический прижим (ESC) с керамической сверхчистой рабочей поверхностью и двумя кольцевыми зонами контроля давления гелия.
- Камера: анодированный алюминиевый блок, внутренняя аксиально-симметричная термостатированная стенка.
- Откачка: турбомолекулярный насос (250 мм), сухой двухступенчатый безмасляный агрегат.
- Газовая система: промышленный моноблок стандарта SEMI, два кольцевых коаксиальных канала подачи газа – центр и периферия.
- Число газовых линий: до 15 на каждый канал.
- Измерение рабочего давления: емкостные датчики, два диапазона – 100 мТорр и 10 Торр.
- Контроль вакуума: два датчика, Пирани и ионизационный.
- Теплоноситель: Galden,ПНС-10.
- Загрузчики пластин: автоматические шлюзовые вакуумные перегрузчики, опции, возможна поставка с фронтальным модулем SMIF.
СИСТЕМА GROOVY ICP – ТЕХНОЛОГИЯ БУДУЩЕГО
- Перекрывает диапазоны всех процессных параметров, недостижимых ни для какой иной промышленной системы;
- гарантирует наилучший кинетический контроль реакционного состава газа благодаря малости времени пребывания газа в плазме;
- объединяет преимущества базовых источников плазмы (ICP-CCP), компенсируя их принципиальные недостатки;
- позволяет реализовывать все плазмохимические процессы, включая атомно-слоевые, в единой базовой ПК;
- обеспечивает высокую экономическую эффективность машиностроительного производства и универсальности технологий;
- ПК пригодна для глубокого и сверхглубокого травления высокоаспектных контактов в окисле кремния (HARC, UHARC);
- максимальная скорость травления оксида доведена в производстве до 2,8 мкм/мин (pad-fuse);
- достигнут уровень атомно слоевого травления оксида;
- скорость травления кремния с гладкими стенками до 25 мкм/мин без использования Bosch-технологии;
- многочисленные приложения: вскрытие и формирование твердой маски (оксид, нитрид, поликремний,аморфный углерод);
- удаление фоторезиста и др.;
- промышленные испытания пройдены в массовом призводстве DRAM на пластинах 300 мм 28 нм;
- единственный в мире промышленный реактор,позволяющий одновременно осуществлять локальный контроль плотности плазмы и ее химического состава по радиусу пластины;
- максимально широкое технологическое окно параметров в сочетании с простотой достижения предельной равномерности процесса по пластине;
- возможно произвольное задание вогнутых или выпуклых распределений скорости процесса по пластине;
- обеспечена возможность скоростного бездефектного удаления фоторезиста после травления, а также автоматической очистки камеры;
- возможно применение в процессах производства полупроводников на сапфире, карбиде кремния, группы А В , GaN и др.; 3 5
- возможен заказ производственных ПК индивидуальной обработки пластин от 50 до 300 мм.
ФОТОГРАФИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Контакт 32 нм
до удаления резиста

Глубокое и сверхглубокое травление кремния

Твердая маска, аморфный углерод
При финансовой поддержке
Министерства промышленности и торговли
Российской Федерации
